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Numéro d'article | SI4686DY-T1-E3 |
LIXINC Part # | SI4686DY-T1-E3 |
Fabricant | Vishay / Siliconix |
Catégorie | semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples |
Description | MOSFET N-CH 30V 18.2A 8SO |
Cycle de vie | Actif |
RoHS | Aucune information RoHS |
Modèles EDA/CAO | SI4686DY-T1-E3 Empreinte et symbole PCB |
Entrepôts | États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong |
Délai de livraison estimé | Sep 28 - Oct 02 2024(Choisissez l'expédition accélérée) |
garantie | Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]* |
Paiement | |
Expédition |
Numéro d'article: | SI4686DY-T1-E3 |
Marque: | Vishay / Siliconix |
Cycle de vie: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Catégorie: | semi-conducteur discret |
Sous-catégorie: | transistors - fets, mosfets - simples |
Fabricant: | Vishay / Siliconix |
série: | TrenchFET® |
emballer: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
état de la pièce: | Active |
type fet: | N-Channel |
technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
tension drain-source (vdss): | 30 V |
courant - drain continu (id) @ 25°c: | 18.2A (Tc) |
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé): | 4.5V, 10V |
rds sur (max) @ id, vgs: | 9.5mOhm @ 13.8A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 3V @ 250µA |
charge de grille (qg) (max) @ vgs: | 26 nC @ 10 V |
vg (max): | ±20V |
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds: | 1220 pF @ 15 V |
fonction fet: | - |
puissance dissipée (max): | 3W (Ta), 5.2W (Tc) |
température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
paquet de dispositif de fournisseur: | 8-SO |
paquet / caisse: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
AOTF16N50 | MOSFET N-CH 500V 16A TO220-3F | 924 Plus sur la commande |
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IRF830 | MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220-3 | 1515 Plus sur la commande |
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2SK583 | N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET | 5704 Plus sur la commande |
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BSO119N03S | MOSFET N-CH 30V 9A 8DSO | 956 Plus sur la commande |
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FDD6N50FTM | MOSFET N-CH 500V 5.5A DPAK | 35887 Plus sur la commande |
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IXTT2N170D2 | MOSFET N-CH 1700V 2A TO268 | 941 Plus sur la commande |
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IPU80R1K4P7AKMA1 | MOSFET N-CH 800V 4A TO251-3 | 2337 Plus sur la commande |
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IPS65R1K0CEAKMA2 | MOSFET N-CH 650V 7.2A TO251-3 | 811 Plus sur la commande |
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IXTT110N10P | MOSFET N-CH 100V 110A TO268 | 881 Plus sur la commande |
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FDS6900S | N-CHANNEL POWER MOSFET | 297787 Plus sur la commande |
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STLD125N4F6AG | MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT | 1624 Plus sur la commande |
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CSD19534KCS | MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 | 1429 Plus sur la commande |
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DMPH4015SSSQ-13 | MOSFET P-CHANNEL 40V 11.4A 8SO | 911 Plus sur la commande |
En stock | 13407 - Plus sur la commande |
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Limite de devis | Sans limites |
Délai de mise en œuvre | Être confirmé |
Le minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.27000 | $1.27 |
2500 | $0.59647 | $1491.175 |
5000 | $0.56847 | $2842.35 |
12500 | $0.54846 | $6855.75 |
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