IPS65R1K0CEAKMA2 | IR (Infineon Technologies) IPS65R1K0CEAKMA2 | IPS65R1K0CEAKMA2 Inventory, Best Pricing

IPS65R1K0CEAKMA2

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Numéro d'article	IPS65R1K0CEAKMA2
LIXINC Part #	IPS65R1K0CEAKMA2
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 650V 7.2A TO251-3
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	IPS65R1K0CEAKMA2 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 28 - Oct 02 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition

IPS65R1K0CEAKMA2 Caractéristiques

Numéro d'article:	IPS65R1K0CEAKMA2
Marque:	IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
série:	CoolMOS™ CE
emballer:	Tube
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	650 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	7.2A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	10V
rds sur (max) @ id, vgs:	1Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 200µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	15.3 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	328 pF @ 100 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	68W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:	PG-TO251-3-342
paquet / caisse:	TO-251-3 Stub Leads, IPak