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NTMSD2P102LR2G

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Numéro d'article	NTMSD2P102LR2G
LIXINC Part #	NTMSD2P102LR2G
Fabricant	Rochester Electronics
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET P-CH 20V 2.3A 8SOIC
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	NTMSD2P102LR2G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 29 - Oct 03 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

NTMSD2P102LR2G Caractéristiques

Numéro d'article:	NTMSD2P102LR2G
Marque:	Rochester Electronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Rochester Electronics
série:	FETKY™
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	P-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	20 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	2.3A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	2.5V, 4.5V
rds sur (max) @ id, vgs:	90mOhm @ 2.4A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.5V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	18 nC @ 4.5 V
vg (max):	±10V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	750 pF @ 16 V
fonction fet:	Schottky Diode (Isolated)
puissance dissipée (max):	710mW (Ta)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	8-SOIC
paquet / caisse:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)