STL7N10F7 | STMicroelectronics STL7N10F7 | STL7N10F7 Inventory, Best Pricing

STL7N10F7

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	STL7N10F7
LIXINC Part #	STL7N10F7
Fabricant	STMicroelectronics
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 100V POWERFLAT
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	STL7N10F7 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 29 - Oct 03 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

STL7N10F7 Caractéristiques

Numéro d'article:	STL7N10F7
Marque:	STMicroelectronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	STMicroelectronics
série:	DeepGATE™, STripFET™ VII
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	100 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	7A (Tj)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	10V
rds sur (max) @ id, vgs:	35mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.5V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	14 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	920 pF @ 50 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	2.9W (Ta), 50W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	PowerFlat™ (3.3x3.3)
paquet / caisse:	8-PowerVDFN