IPB80N08S406ATMA1

IPB80N08S406ATMA1
Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article IPB80N08S406ATMA1
LIXINC Part # IPB80N08S406ATMA1
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3-2
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO IPB80N08S406ATMA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 29 - Oct 03 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPB80N08S406ATMA1 Caractéristiques

Numéro d'article:IPB80N08S406ATMA1
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Rochester Electronics
série:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
emballer:Bulk
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):80 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:80A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):-
rds sur (max) @ id, vgs:5.5mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max) @ id:4V @ 90µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:70 nC @ 10 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:4800 pF @ 25 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):150W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:PG-TO263-3-2
paquet / caisse:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Les produits qui pourraient vous intéresser

AO4290A AO4290A MOSFET N-CH 100V 15.5A 8SOIC 995

Plus sur la commande

BUZ100S-E3045A BUZ100S-E3045A N-CHANNEL POWER MOSFET 31475

Plus sur la commande

IRFF221 IRFF221 N-CHANNEL POWER MOSFET 1857

Plus sur la commande

IRFZ44PBF-BE3 IRFZ44PBF-BE3 MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB 1957

Plus sur la commande

IPD50N06S4L08ATMA2 IPD50N06S4L08ATMA2 MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31 853

Plus sur la commande

AON6512 AON6512 MOSFET N-CH 30V 54A/150A 8DFN 927

Plus sur la commande

IPA60R099C7XKSA1 IPA60R099C7XKSA1 MOSFET N-CH 600V 12A TO220-FP 2476

Plus sur la commande

TSM340N06CH X0G TSM340N06CH X0G MOSFET N-CHANNEL 60V 30A TO251 13374

Plus sur la commande

TN0604N3-G-P005 TN0604N3-G-P005 MOSFET N-CH 40V 700MA TO92-3 876

Plus sur la commande

AON6312 AON6312 MOSFET N-CHANNEL 30V 85A 8DFN 902

Plus sur la commande

FQU2N60CTU FQU2N60CTU POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 9009

Plus sur la commande

FDS6690A FDS6690A MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC 16204

Plus sur la commande

NTBG020N120SC1 NTBG020N120SC1 SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK 1950

Plus sur la commande

Demande rapide

En stock 15429 - Plus sur la commande
Limite de devis Sans limites
Délai de mise en œuvre Être confirmé
Le minimum 1

Conseils chaleureux : veuillez remplir le formulaire ci-dessous. Nous vous contacterons dès que possible.

Tarification (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.99000$0.99
1000$0.99000$990

Lixinc vous proposera les prix les plus compétitifs, veuillez vous référer aux devis.

Contactez-nous

APPELEZ-NOUS
SKYPE
LIXINC

N'hésitez pas à nous contacter pour plus de détails.

Nos certificats

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top