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FQU2N60CTU

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Numéro d'article	FQU2N60CTU
LIXINC Part #	FQU2N60CTU
Fabricant	Rochester Electronics
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	FQU2N60CTU Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 29 - Oct 03 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition

FQU2N60CTU Caractéristiques

Numéro d'article:	FQU2N60CTU
Marque:	Rochester Electronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Rochester Electronics
série:	QFET®
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	600 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	1.9A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	10V
rds sur (max) @ id, vgs:	4.7Ohm @ 950mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	12 nC @ 10 V
vg (max):	±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	235 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	2.5W (Ta), 44W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:	I-PAK
paquet / caisse:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA