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Numéro d'article | VP2110K1-G |
LIXINC Part # | VP2110K1-G |
Fabricant | Roving Networks / Microchip Technology |
Catégorie | semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples |
Description | MOSFET P-CH 100V 120MA TO236AB |
Cycle de vie | Actif |
RoHS | Aucune information RoHS |
Modèles EDA/CAO | VP2110K1-G Empreinte et symbole PCB |
Entrepôts | États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong |
Délai de livraison estimé | Sep 28 - Oct 02 2024(Choisissez l'expédition accélérée) |
garantie | Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]* |
Paiement | ![]() |
Expédition | ![]() |
Numéro d'article: | VP2110K1-G |
Marque: | Roving Networks / Microchip Technology |
Cycle de vie: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Catégorie: | semi-conducteur discret |
Sous-catégorie: | transistors - fets, mosfets - simples |
Fabricant: | Roving Networks / Microchip Technology |
série: | - |
emballer: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
état de la pièce: | Active |
type fet: | P-Channel |
technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
tension drain-source (vdss): | 100 V |
courant - drain continu (id) @ 25°c: | 120mA (Tj) |
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé): | 5V, 10V |
rds sur (max) @ id, vgs: | 12Ohm @ 500mA, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 3.5V @ 1mA |
charge de grille (qg) (max) @ vgs: | - |
vg (max): | ±20V |
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds: | 60 pF @ 25 V |
fonction fet: | - |
puissance dissipée (max): | 360mW (Ta) |
température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
paquet de dispositif de fournisseur: | TO-236AB (SOT23) |
paquet / caisse: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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En stock | 15041 - Plus sur la commande |
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Limite de devis | Sans limites |
Délai de mise en œuvre | Être confirmé |
Le minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.65000 | $0.65 |
3000 | $0.45320 | $1359.6 |
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