VP2110K1-G | Roving Networks / Microchip Technology VP2110K1-G

VP2110K1-G

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Numéro d'article	VP2110K1-G
LIXINC Part #	VP2110K1-G
Fabricant	Roving Networks / Microchip Technology
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET P-CH 100V 120MA TO236AB
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	VP2110K1-G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 28 - Oct 02 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

VP2110K1-G Caractéristiques

Numéro d'article:	VP2110K1-G
Marque:	Roving Networks / Microchip Technology
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Roving Networks / Microchip Technology
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	P-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	100 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	120mA (Tj)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	12Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 1mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	-
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	60 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	360mW (Ta)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-236AB (SOT23)
paquet / caisse:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3