SIR403EDP-T1-GE3

SIR403EDP-T1-GE3
Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article SIR403EDP-T1-GE3
LIXINC Part # SIR403EDP-T1-GE3
Fabricant Vishay / Siliconix
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET P-CH 30V 40A PPAK SO-8
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO SIR403EDP-T1-GE3 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 28 - Oct 02 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

SIR403EDP-T1-GE3 Caractéristiques

Numéro d'article:SIR403EDP-T1-GE3
Marque:Vishay / Siliconix
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Vishay / Siliconix
série:TrenchFET®
emballer:Tape & Reel (TR)
état de la pièce:Active
type fet:P-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):30 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:40A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:6.5mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (max) @ id:2.8V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:153 nC @ 10 V
vg (max):±25V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:4620 pF @ 15 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):5W (Ta), 56.8W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:PowerPAK® SO-8
paquet / caisse:PowerPAK® SO-8

Les produits qui pourraient vous intéresser

MCAC50N10Y-TP MCAC50N10Y-TP MOSFET N-CH 100V 50A DFN5060 30901

Plus sur la commande

AOTF7S65 AOTF7S65 MOSFET N-CH 650V 7A TO220-3F 850

Plus sur la commande

BUK7230-55A/C1118 BUK7230-55A/C1118 N-CHANNEL POWER MOSFET 15885

Plus sur la commande

2N6806 2N6806 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, P 915

Plus sur la commande

IRFH8325TRPBF IRFH8325TRPBF MOSFET N-CH 30V 21A/82A PQFN 4888

Plus sur la commande

UPA2709AGR-E1-AT UPA2709AGR-E1-AT MOSFET N-CH 30V 13A 8PSOP 5823

Plus sur la commande

BUK9Y41-80E,115 BUK9Y41-80E,115 MOSFET N-CH 80V 24A LFPAK56 854

Plus sur la commande

IPAW60R600CEXKSA1 IPAW60R600CEXKSA1 MOSFET N-CH 600V 10.3A TO220 1153

Plus sur la commande

MTP5N40E MTP5N40E N-CHANNEL POWER MOSFET 8289

Plus sur la commande

TBB1010KMTL-H TBB1010KMTL-H RF N-CHANNEL MOSFET 48982

Plus sur la commande

IRF634STRRPBF IRF634STRRPBF MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK 1146

Plus sur la commande

FQPF9N50CT FQPF9N50CT MOSFET N-CH 500V 9A TO220F 635935

Plus sur la commande

NTMS4916NR2G NTMS4916NR2G SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI 3163

Plus sur la commande

Demande rapide

En stock 10946 - Plus sur la commande
Limite de devis Sans limites
Délai de mise en œuvre Être confirmé
Le minimum 1

Conseils chaleureux : veuillez remplir le formulaire ci-dessous. Nous vous contacterons dès que possible.

Tarification (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.40040$0.4004
3000$0.40040$1201.2

Lixinc vous proposera les prix les plus compétitifs, veuillez vous référer aux devis.

Contactez-nous

APPELEZ-NOUS
SKYPE
LIXINC

N'hésitez pas à nous contacter pour plus de détails.

Nos certificats

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top