BSZ076N06NS3GATMA1 | Rochester Electronics BSZ076N06NS3GATMA1 | BSZ076N06NS3GATMA1 Inventory, Best Pricing

BSZ076N06NS3GATMA1

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Numéro d'article	BSZ076N06NS3GATMA1
LIXINC Part #	BSZ076N06NS3GATMA1
Fabricant	Rochester Electronics
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	BSZ076N06NS3GATMA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 28 - Oct 02 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

BSZ076N06NS3GATMA1 Caractéristiques

Numéro d'article:	BSZ076N06NS3GATMA1
Marque:	Rochester Electronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Rochester Electronics
série:	OptiMOS™
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	60 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	20A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	10V
rds sur (max) @ id, vgs:	7.6mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 35µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	50 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	4 pF @ 30 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	2.1W (Ta), 69W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	PG-TSDSON-8
paquet / caisse:	8-PowerVDFN