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Numéro d'article | IPB80N06S405ATMA2 |
LIXINC Part # | IPB80N06S405ATMA2 |
Fabricant | IR (Infineon Technologies) |
Catégorie | semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples |
Description | MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 |
Cycle de vie | Actif |
RoHS | Aucune information RoHS |
Modèles EDA/CAO | IPB80N06S405ATMA2 Empreinte et symbole PCB |
Entrepôts | États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong |
Délai de livraison estimé | Sep 28 - Oct 02 2024(Choisissez l'expédition accélérée) |
garantie | Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]* |
Paiement | |
Expédition |
Numéro d'article: | IPB80N06S405ATMA2 |
Marque: | IR (Infineon Technologies) |
Cycle de vie: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Catégorie: | semi-conducteur discret |
Sous-catégorie: | transistors - fets, mosfets - simples |
Fabricant: | IR (Infineon Technologies) |
série: | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
emballer: | Tape & Reel (TR) |
état de la pièce: | Active |
type fet: | N-Channel |
technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
tension drain-source (vdss): | 60 V |
courant - drain continu (id) @ 25°c: | 80A (Tc) |
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé): | 10V |
rds sur (max) @ id, vgs: | 5.7mOhm @ 80A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 4V @ 60µA |
charge de grille (qg) (max) @ vgs: | 81 nC @ 10 V |
vg (max): | ±20V |
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds: | 6500 pF @ 25 V |
fonction fet: | - |
puissance dissipée (max): | 107W (Tc) |
température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
paquet de dispositif de fournisseur: | PG-TO263-3-2 |
paquet / caisse: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
NTTFS4C05NTAG | MOSFET N-CH 30V 12A/75A 8WDFN | 944 Plus sur la commande |
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IAUT200N08S5N023ATMA1 | MOSFET N-CH 80V 200A 8HSOF | 2492 Plus sur la commande |
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PSMN1R8-30BL,118 | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | 884 Plus sur la commande |
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PMF780SN,115 | MOSFET N-CH 60V 570MA SOT323-3 | 120978 Plus sur la commande |
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IPB60R045P7ATMA1 | MOSFET N-CH 600V 61A TO263-3-2 | 824 Plus sur la commande |
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IRFU220PBF | MOSFET N-CH 200V 4.8A TO251AA | 3480 Plus sur la commande |
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2SJ254 | P-CHANNEL POWER MOSFET | 18619 Plus sur la commande |
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IRLU3110ZPBF | MOSFET N-CH 100V 42A IPAK | 912 Plus sur la commande |
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IRFU110PBF | MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA | 7250 Plus sur la commande |
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NTD5802NT4G | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 | 1660 Plus sur la commande |
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DMP3008SFGQ-13 | MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8 | 1252 Plus sur la commande |
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AO4425 | MOSFET P-CH 38V 14A 8SOIC | 108715 Plus sur la commande |
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AUIRFS4115 | MOSFET N-CH 150V 99A D2PAK | 4756 Plus sur la commande |
En stock | 10967 - Plus sur la commande |
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Limite de devis | Sans limites |
Délai de mise en œuvre | Être confirmé |
Le minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.95322 | $0.95322 |
1000 | $0.88069 | $880.69 |
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