BSZ068N06NSATMA1 | Rochester Electronics BSZ068N06NSATMA1 | BSZ068N06NSATMA1 Inventory, Best Pricing

BSZ068N06NSATMA1

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Numéro d'article	BSZ068N06NSATMA1
LIXINC Part #	BSZ068N06NSATMA1
Fabricant	Rochester Electronics
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	BSZ068N06 - 12V-300V N-CHANNEL P
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	BSZ068N06NSATMA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 29 - Oct 03 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

BSZ068N06NSATMA1 Caractéristiques

Numéro d'article:	BSZ068N06NSATMA1
Marque:	Rochester Electronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Rochester Electronics
série:	OptiMOS™
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	60 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	40A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	6V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	6.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.3V @ 20µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	21 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	1.5 pF @ 30 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	2.1W (Ta), 46W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	PG-TSDSON-8-FL
paquet / caisse:	8-PowerTDFN