AOTF11S60L | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. AOTF11S60L

AOTF11S60L

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	AOTF11S60L
LIXINC Part #	AOTF11S60L
Fabricant	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3F
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	AOTF11S60L Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 29 - Oct 03 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

AOTF11S60L Caractéristiques

Numéro d'article:	AOTF11S60L
Marque:	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
série:	aMOS™
emballer:	Tube
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	600 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	11A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	10V
rds sur (max) @ id, vgs:	399mOhm @ 3.8A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.1V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	11 nC @ 10 V
vg (max):	±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	545 pF @ 100 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	38W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-220-3F
paquet / caisse:	TO-220-3 Full Pack