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BUK6D120-60PX

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Numéro d'article	BUK6D120-60PX
LIXINC Part #	BUK6D120-60PX
Fabricant	Nexperia
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET P-CH 60V 3A/8A 6DFN
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	BUK6D120-60PX Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 29 - Oct 03 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

BUK6D120-60PX Caractéristiques

Numéro d'article:	BUK6D120-60PX
Marque:	Nexperia
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Nexperia
série:	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	P-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	60 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	3A (Ta), 8A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	120mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.2V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	18 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	724 pF @ 30 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	2.3W (Ta), 15W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	DFN2020MD-6
paquet / caisse:	6-UDFN Exposed Pad