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Numéro d'article | IPD33CN10NGATMA1 |
LIXINC Part # | IPD33CN10NGATMA1 |
Fabricant | IR (Infineon Technologies) |
Catégorie | semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples |
Description | MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3 |
Cycle de vie | Actif |
RoHS | Aucune information RoHS |
Modèles EDA/CAO | IPD33CN10NGATMA1 Empreinte et symbole PCB |
Entrepôts | États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong |
Délai de livraison estimé | Sep 29 - Oct 03 2024(Choisissez l'expédition accélérée) |
garantie | Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]* |
Paiement | |
Expédition |
Numéro d'article: | IPD33CN10NGATMA1 |
Marque: | IR (Infineon Technologies) |
Cycle de vie: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Catégorie: | semi-conducteur discret |
Sous-catégorie: | transistors - fets, mosfets - simples |
Fabricant: | IR (Infineon Technologies) |
série: | OptiMOS™ |
emballer: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
état de la pièce: | Active |
type fet: | N-Channel |
technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
tension drain-source (vdss): | 100 V |
courant - drain continu (id) @ 25°c: | 27A (Tc) |
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé): | 10V |
rds sur (max) @ id, vgs: | 33mOhm @ 27A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 4V @ 29µA |
charge de grille (qg) (max) @ vgs: | 24 nC @ 10 V |
vg (max): | ±20V |
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds: | 1570 pF @ 50 V |
fonction fet: | - |
puissance dissipée (max): | 58W (Tc) |
température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
paquet de dispositif de fournisseur: | PG-TO252-3 |
paquet / caisse: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
AUIRF8736M2TR | MOSFET N-CH 40V 27A DIRECTFET | 10843 Plus sur la commande |
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CSD17571Q2 | MOSFET N-CH 30V 22A 6SON | 14170 Plus sur la commande |
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FK8V03040L | MOSFET N CH 33V 10A WMINI8-F1 | 3639 Plus sur la commande |
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RFD20N03 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 11433 Plus sur la commande |
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SIHB33N60ET5-GE3 | MOSFET N-CH 600V 33A TO263 | 865 Plus sur la commande |
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TSM2318CX RFG | MOSFET N-CHANNEL 40V 3.9A SOT23 | 23599 Plus sur la commande |
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SPP20N60S5XKSA1 | HIGH POWER_LEGACY | 1211 Plus sur la commande |
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SI2369DS-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 7.6A TO236 | 14679 Plus sur la commande |
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PMPB07R3ENX | PMPB07R3EN/SOT1220-2/DFN2020M- | 944 Plus sur la commande |
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SQ4425EY-T1_BE3 | MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8SOIC | 3331 Plus sur la commande |
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IRF7204TRPBF | MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SO | 1640 Plus sur la commande |
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IXTP220N04T2 | MOSFET N-CH 40V 220A TO220AB | 989 Plus sur la commande |
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IRLR014TRL | MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK | 988 Plus sur la commande |
En stock | 12814 - Plus sur la commande |
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Limite de devis | Sans limites |
Délai de mise en œuvre | Être confirmé |
Le minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.18000 | $1.18 |
2500 | $0.52145 | $1303.625 |
5000 | $0.49538 | $2476.9 |
12500 | $0.47675 | $5959.375 |
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