STGW60H65DFB

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Numéro d'article STGW60H65DFB
LIXINC Part # STGW60H65DFB
Fabricant STMicroelectronics
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - igbts - simples
Description IGBT 650V 80A 375W TO-247
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO STGW60H65DFB Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 29 - Oct 03 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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STGW60H65DFB Caractéristiques

Numéro d'article:STGW60H65DFB
Marque:STMicroelectronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - igbts - simples
Fabricant:STMicroelectronics
série:-
emballer:Tube
état de la pièce:Active
type d'igbt:Trench Field Stop
tension - claquage collecteur émetteur (max):650 V
courant - collecteur (ic) (max):80 A
courant - collecteur pulsé (icm):240 A
vce(on) (max) @ vge, ic:2V @ 15V, 60A
puissance - maximum:375 W
énergie de commutation:1.09mJ (on), 626µJ (off)
type d'entrée:Standard
frais de porte:306 nC
td (marche/arrêt) @ 25°c:51ns/160ns
condition de test:400V, 60A, 5Ohm, 15V
temps de récupération inverse (trr):60 ns
température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet / caisse:TO-247-3
paquet de dispositif de fournisseur:TO-247

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