RFN1L6STE25

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Numéro d'article RFN1L6STE25
LIXINC Part # RFN1L6STE25
Fabricant ROHM Semiconductor
Catégorie semi-conducteur discretdiodes - redresseurs - simples
Description DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO RFN1L6STE25 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 28 - Oct 02 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

RFN1L6STE25 Caractéristiques

Numéro d'article:RFN1L6STE25
Marque:ROHM Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:diodes - redresseurs - simples
Fabricant:ROHM Semiconductor
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Not For New Designs
type de diodes:Standard
tension - dc inverse (vr) (max):600 V
courant - moyen redressé (io):800mA
tension - avant (vf) (max) @ si:1.45 V @ 800 mA
vitesse:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):35 ns
courant - fuite inverse @ vr:1 µA @ 600 V
capacité @ vr, f:-
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:DO-214AC, SMA
paquet de dispositif de fournisseur:PMDS
température de fonctionnement - jonction:150°C (Max)

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