1N5257B-TAP | Vishay General Semiconductor – Diodes Division 1N5257B-TAP

1N5257B-TAP

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Numéro d'article	1N5257B-TAP
LIXINC Part #	1N5257B-TAP
Fabricant	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Catégorie	semi-conducteur discret › diodes - zener - simples
Description	DIODE ZENER 33V 500MW DO35
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	1N5257B-TAP Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 29 - Oct 03 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

1N5257B-TAP Caractéristiques

Numéro d'article:	1N5257B-TAP
Marque:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	diodes - zener - simples
Fabricant:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
série:	Automotive, AEC-Q101
emballer:	Tape & Box (TB)
état de la pièce:	Active
tension - zener (nom) (vz):	33 V
tolérance:	±5%
puissance - maximum:	500 mW
impédance (max) (zzt):	58 Ohms
courant - fuite inverse @ vr:	100 nA @ 25 V
tension - avant (vf) (max) @ si:	1.1 V @ 200 mA
température de fonctionnement:	-65°C ~ 175°C
Type de montage:	Through Hole
paquet / caisse:	DO-204AH, DO-35, Axial
paquet de dispositif de fournisseur:	DO-35