R6025FNZ1C9 | ROHM Semiconductor R6025FNZ1C9 | R6025FNZ1C9 Inventory, Best Pricing

R6025FNZ1C9

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Numéro d'article	R6025FNZ1C9
LIXINC Part #	R6025FNZ1C9
Fabricant	ROHM Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 600V 25A TO247
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	R6025FNZ1C9 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 28 - Oct 02 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

R6025FNZ1C9 Caractéristiques

Numéro d'article:	R6025FNZ1C9
Marque:	ROHM Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	ROHM Semiconductor
série:	-
emballer:	Tube
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	600 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	25A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	10V
rds sur (max) @ id, vgs:	180mOhm @ 12.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5V @ 1mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	85 nC @ 10 V
vg (max):	±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	3500 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	150W (Tc)
température de fonctionnement:	150°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-247
paquet / caisse:	TO-247-3