PHX34NQ11T,127 | NXP Semiconductors PHX34NQ11T,127 | PHX34NQ11T,127 Inventory, Best Pricing

PHX34NQ11T,127

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Numéro d'article	PHX34NQ11T,127
LIXINC Part #	PHX34NQ11T,127
Fabricant	NXP Semiconductors
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 110V 24.8A TO220F
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	PHX34NQ11T,127 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 28 - Oct 02 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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PHX34NQ11T,127 Caractéristiques

Numéro d'article:	PHX34NQ11T,127
Marque:	NXP Semiconductors
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	NXP Semiconductors
série:	TrenchMOS™
emballer:	Tube
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	110 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	24.8A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	10V
rds sur (max) @ id, vgs:	40mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 1mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	40 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	1700 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	56.8W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-220F
paquet / caisse:	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab