PBLS4002V,115 | NXP Semiconductors PBLS4002V,115 | PBLS4002V,115 Inventory, Best Pricing

PBLS4002V,115

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Numéro d'article	PBLS4002V,115
LIXINC Part #	PBLS4002V,115
Fabricant	NXP Semiconductors
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - bipolaires (bjt) - réseaux, pré-polarisés
Description	TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	PBLS4002V,115 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 29 - Oct 03 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

PBLS4002V,115 Caractéristiques

Numéro d'article:	PBLS4002V,115
Marque:	NXP Semiconductors
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - bipolaires (bjt) - réseaux, pré-polarisés
Fabricant:	NXP Semiconductors
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Obsolete
à transistors:	1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
courant - collecteur (ic) (max):	100mA, 500mA
tension - claquage collecteur émetteur (max):	50V, 40V
résistance - base (r1):	4.7kOhms
résistance - base émettrice (r2):	4.7kOhms
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:	30 @ 10mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V
vce saturation (max) @ ib, ic:	150mV @ 500µA, 10mA / 350mV @ 50mA, 500mA
courant - coupure collecteur (max):	1µA
fréquence - transition:	300MHz
puissance - maximum:	300mW
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	SOT-563, SOT-666
paquet de dispositif de fournisseur:	SOT-666