GC2X10MPS12-247 | GeneSiC Semiconductor GC2X10MPS12-247 | GC2X10MPS12-247 Inventory, Best Pricing

GC2X10MPS12-247

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Numéro d'article	GC2X10MPS12-247
LIXINC Part #	GC2X10MPS12-247
Fabricant	GeneSiC Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › diodes - redresseurs - barrettes
Description	SIC DIODE 1200V 20A TO-247-3
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	GC2X10MPS12-247 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 20 - Oct 24 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

GC2X10MPS12-247 Caractéristiques

Numéro d'article:	GC2X10MPS12-247
Marque:	GeneSiC Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	diodes - redresseurs - barrettes
Fabricant:	GeneSiC Semiconductor
série:	-
emballer:	Tube
état de la pièce:	Active
configuration des diodes:	1 Pair Common Cathode
type de diodes:	Silicon Carbide Schottky
tension - dc inverse (vr) (max):	1200 V
courant - moyen redressé (io) (par diode):	50A (DC)
tension - avant (vf) (max) @ si:	1.8 V @ 10 A
vitesse:	No Recovery Time > 500mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):	0 ns
courant - fuite inverse @ vr:	10 µA @ 1200 V
température de fonctionnement - jonction:	-55°C ~ 175°C
Type de montage:	Through Hole
paquet / caisse:	TO-247-3
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-247-3