GB2X50MPS12-227

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Numéro d'article GB2X50MPS12-227
LIXINC Part # GB2X50MPS12-227
Fabricant GeneSiC Semiconductor
Catégorie semi-conducteur discretdiodes - redresseurs - barrettes
Description SIC DIODE 1200V 100A SOT-227
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO GB2X50MPS12-227 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 06 - Oct 10 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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GB2X50MPS12-227 Caractéristiques

Numéro d'article:GB2X50MPS12-227
Marque:GeneSiC Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:diodes - redresseurs - barrettes
Fabricant:GeneSiC Semiconductor
série:-
emballer:Tube
état de la pièce:Active
configuration des diodes:2 Independent
type de diodes:Silicon Carbide Schottky
tension - dc inverse (vr) (max):1200 V
courant - moyen redressé (io) (par diode):93A (DC)
tension - avant (vf) (max) @ si:1.8 V @ 50 A
vitesse:No Recovery Time > 500mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):0 ns
courant - fuite inverse @ vr:40 µA @ 1200 V
température de fonctionnement - jonction:-55°C ~ 175°C
Type de montage:Chassis Mount
paquet / caisse:SOT-227-4, miniBLOC
paquet de dispositif de fournisseur:SOT-227

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