MURTA200120R

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Numéro d'article MURTA200120R
LIXINC Part # MURTA200120R
Fabricant GeneSiC Semiconductor
Catégorie semi-conducteur discretdiodes - redresseurs - barrettes
Description DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO MURTA200120R Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 07 - Oct 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

MURTA200120R Caractéristiques

Numéro d'article:MURTA200120R
Marque:GeneSiC Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:diodes - redresseurs - barrettes
Fabricant:GeneSiC Semiconductor
série:-
emballer:Bulk
état de la pièce:Active
configuration des diodes:1 Pair Common Anode
type de diodes:Standard
tension - dc inverse (vr) (max):1200 V
courant - moyen redressé (io) (par diode):100A
tension - avant (vf) (max) @ si:2.6 V @ 100 A
vitesse:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):-
courant - fuite inverse @ vr:25 µA @ 1200 V
température de fonctionnement - jonction:-55°C ~ 150°C
Type de montage:Chassis Mount
paquet / caisse:Three Tower
paquet de dispositif de fournisseur:Three Tower

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