HN2S02JE(TE85L,F) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation HN2S02JE(TE85L,F) | HN2S02JE(TE85L,F) Inventory, Best Pricing

HN2S02JE(TE85L,F)

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Numéro d'article	HN2S02JE(TE85L,F)
LIXINC Part #	HN2S02JE(TE85L,F)
Fabricant	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Catégorie	semi-conducteur discret › diodes - redresseurs - barrettes
Description	DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V ESV
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	HN2S02JE(TE85L,F) Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Aug 15 - Aug 19 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition

HN2S02JE(TE85L,F) Caractéristiques

Numéro d'article:	HN2S02JE(TE85L,F)
Marque:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	diodes - redresseurs - barrettes
Fabricant:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
configuration des diodes:	2 Independent
type de diodes:	Schottky
tension - dc inverse (vr) (max):	40 V
courant - moyen redressé (io) (par diode):	100mA
tension - avant (vf) (max) @ si:	600 mV @ 100 mA
vitesse:	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
temps de récupération inverse (trr):	-
courant - fuite inverse @ vr:	5 µA @ 40 V
température de fonctionnement - jonction:	125°C (Max)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	SOT-553
paquet de dispositif de fournisseur:	ESV