TRS12N65FB,S1Q | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TRS12N65FB,S1Q

TRS12N65FB,S1Q

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Numéro d'article	TRS12N65FB,S1Q
LIXINC Part #	TRS12N65FB,S1Q
Fabricant	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Catégorie	semi-conducteur discret › diodes - redresseurs - barrettes
Description	SIC SBD TO-247 V=650 IF=12A
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	TRS12N65FB,S1Q Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

TRS12N65FB,S1Q Caractéristiques

Numéro d'article:	TRS12N65FB,S1Q
Marque:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	diodes - redresseurs - barrettes
Fabricant:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
série:	-
emballer:	Tube
état de la pièce:	Active
configuration des diodes:	1 Pair Common Cathode
type de diodes:	Silicon Carbide Schottky
tension - dc inverse (vr) (max):	650 V
courant - moyen redressé (io) (par diode):	6A (DC)
tension - avant (vf) (max) @ si:	1.6 V @ 6 A
vitesse:	No Recovery Time > 500mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):	0 ns
courant - fuite inverse @ vr:	30 µA @ 650 V
température de fonctionnement - jonction:	175°C
Type de montage:	Through Hole
paquet / caisse:	TO-247-3
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-247