NRVUB1620CTT4G

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Numéro d'article NRVUB1620CTT4G
LIXINC Part # NRVUB1620CTT4G
Fabricant Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie semi-conducteur discretdiodes - redresseurs - barrettes
Description DIODE GEN PURP 200V 8A D2PAK-3
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO NRVUB1620CTT4G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 27 - Oct 01 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

NRVUB1620CTT4G Caractéristiques

Numéro d'article:NRVUB1620CTT4G
Marque:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:diodes - redresseurs - barrettes
Fabricant:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:Automotive, AEC-Q101
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
configuration des diodes:1 Pair Common Cathode
type de diodes:Standard
tension - dc inverse (vr) (max):200 V
courant - moyen redressé (io) (par diode):8A
tension - avant (vf) (max) @ si:975 mV @ 8 A
vitesse:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):35 ns
courant - fuite inverse @ vr:5 µA @ 200 V
température de fonctionnement - jonction:-65°C ~ 175°C
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
paquet de dispositif de fournisseur:D²PAK-3 (TO-263-3)

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