MSRT10060(A)D

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Numéro d'article MSRT10060(A)D
LIXINC Part # MSRT10060(A)D
Fabricant GeneSiC Semiconductor
Catégorie semi-conducteur discretdiodes - redresseurs - barrettes
Description DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO MSRT10060(A)D Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Nov 01 - Nov 05 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

MSRT10060(A)D Caractéristiques

Numéro d'article:MSRT10060(A)D
Marque:GeneSiC Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:diodes - redresseurs - barrettes
Fabricant:GeneSiC Semiconductor
série:-
emballer:Bulk
état de la pièce:Active
configuration des diodes:1 Pair Series Connection
type de diodes:Standard
tension - dc inverse (vr) (max):600 V
courant - moyen redressé (io) (par diode):100A
tension - avant (vf) (max) @ si:1.1 V @ 100 A
vitesse:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):-
courant - fuite inverse @ vr:10 µA @ 600 V
température de fonctionnement - jonction:-55°C ~ 150°C
Type de montage:Chassis Mount
paquet / caisse:Three Tower
paquet de dispositif de fournisseur:Three Tower

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