IDP30C65D2XKSA1 | Rochester Electronics IDP30C65D2XKSA1 | IDP30C65D2XKSA1 Inventory, Best Pricing

IDP30C65D2XKSA1

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Numéro d'article	IDP30C65D2XKSA1
LIXINC Part #	IDP30C65D2XKSA1
Fabricant	Rochester Electronics
Catégorie	semi-conducteur discret › diodes - redresseurs - barrettes
Description	IDP30C65 - SILICON POWER DIODE
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	IDP30C65D2XKSA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

IDP30C65D2XKSA1 Caractéristiques

Numéro d'article:	IDP30C65D2XKSA1
Marque:	Rochester Electronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	diodes - redresseurs - barrettes
Fabricant:	Rochester Electronics
série:	Rapid 2
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
configuration des diodes:	1 Pair Common Cathode
type de diodes:	Standard
tension - dc inverse (vr) (max):	650 V
courant - moyen redressé (io) (par diode):	15A
tension - avant (vf) (max) @ si:	2.2 V @ 15 A
vitesse:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):	31 ns
courant - fuite inverse @ vr:	40 µA @ 650 V
température de fonctionnement - jonction:	-40°C ~ 175°C
Type de montage:	Through Hole
paquet / caisse:	TO-220-3
paquet de dispositif de fournisseur:	PG-TO220-3