NXPSC166506Q

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Numéro d'article NXPSC166506Q
LIXINC Part # NXPSC166506Q
Fabricant WeEn Semiconductors Co., Ltd
Catégorie semi-conducteur discretdiodes - redresseurs - simples
Description SILICON CARBIDE POWER DIODE
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO NXPSC166506Q Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 20 - Oct 24 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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NXPSC166506Q Caractéristiques

Numéro d'article:NXPSC166506Q
Marque:WeEn Semiconductors Co., Ltd
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:diodes - redresseurs - simples
Fabricant:WeEn Semiconductors Co., Ltd
série:-
emballer:Tube
état de la pièce:Active
type de diodes:Silicon Carbide Schottky
tension - dc inverse (vr) (max):650 V
courant - moyen redressé (io):16A
tension - avant (vf) (max) @ si:1.7 V @ 16 A
vitesse:No Recovery Time > 500mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):0 ns
courant - fuite inverse @ vr:100 µA @ 650 V
capacité @ vr, f:534pF @ 1V, 1MHz
Type de montage:Through Hole
paquet / caisse:TO-220-2
paquet de dispositif de fournisseur:TO-220AC
température de fonctionnement - jonction:175°C (Max)

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