IDP08E65D1XKSA1

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Numéro d'article IDP08E65D1XKSA1
LIXINC Part # IDP08E65D1XKSA1
Fabricant IR (Infineon Technologies)
Catégorie semi-conducteur discretdiodes - redresseurs - simples
Description DIODE GEN PURP 650V 8A TO220-2
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO IDP08E65D1XKSA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 20 - Oct 24 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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IDP08E65D1XKSA1 Caractéristiques

Numéro d'article:IDP08E65D1XKSA1
Marque:IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:diodes - redresseurs - simples
Fabricant:IR (Infineon Technologies)
série:-
emballer:Tube
état de la pièce:Active
type de diodes:Standard
tension - dc inverse (vr) (max):650 V
courant - moyen redressé (io):8A
tension - avant (vf) (max) @ si:1.7 V @ 8 A
vitesse:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):80 ns
courant - fuite inverse @ vr:40 µA @ 650 V
capacité @ vr, f:-
Type de montage:Through Hole
paquet / caisse:TO-220-2
paquet de dispositif de fournisseur:TO-220-2
température de fonctionnement - jonction:-40°C ~ 175°C

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