1N5417US | Roving Networks / Microchip Technology 1N5417US

1N5417US

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Numéro d'article	1N5417US
LIXINC Part #	1N5417US
Fabricant	Roving Networks / Microchip Technology
Catégorie	semi-conducteur discret › diodes - redresseurs - simples
Description	DIODE GEN PURP 200V 3A D5B
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	1N5417US Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 07 - Oct 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

1N5417US Caractéristiques

Numéro d'article:	1N5417US
Marque:	Roving Networks / Microchip Technology
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	diodes - redresseurs - simples
Fabricant:	Roving Networks / Microchip Technology
série:	-
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
type de diodes:	Standard
tension - dc inverse (vr) (max):	200 V
courant - moyen redressé (io):	3A
tension - avant (vf) (max) @ si:	1.5 V @ 9 A
vitesse:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):	150 ns
courant - fuite inverse @ vr:	1 µA @ 200 V
capacité @ vr, f:	-
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	E-MELF
paquet de dispositif de fournisseur:	D-5B
température de fonctionnement - jonction:	-65°C ~ 175°C