S1MHE3_A/I

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Numéro d'article S1MHE3_A/I
LIXINC Part # S1MHE3_A/I
Fabricant Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Catégorie semi-conducteur discretdiodes - redresseurs - simples
Description DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO S1MHE3_A/I Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 08 - Oct 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

S1MHE3_A/I Caractéristiques

Numéro d'article:S1MHE3_A/I
Marque:Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:diodes - redresseurs - simples
Fabricant:Vishay General Semiconductor – Diodes Division
série:Automotive, AEC-Q100
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
type de diodes:Standard
tension - dc inverse (vr) (max):1000 V
courant - moyen redressé (io):1A
tension - avant (vf) (max) @ si:1.1 V @ 1 A
vitesse:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):1.8 µs
courant - fuite inverse @ vr:5 µA @ 1000 V
capacité @ vr, f:12pF @ 4V, 1MHz
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:DO-214AC, SMA
paquet de dispositif de fournisseur:DO-214AC (SMA)
température de fonctionnement - jonction:-55°C ~ 150°C

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