ISL9R30120G2 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor ISL9R30120G2

ISL9R30120G2

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Numéro d'article	ISL9R30120G2
LIXINC Part #	ISL9R30120G2
Fabricant	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › diodes - redresseurs - simples
Description	DIODE GEN PURP 1200V 30A TO247-2
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	ISL9R30120G2 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 08 - Oct 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

ISL9R30120G2 Caractéristiques

Numéro d'article:	ISL9R30120G2
Marque:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	diodes - redresseurs - simples
Fabricant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:	Stealth™
emballer:	Tube
état de la pièce:	Last Time Buy
type de diodes:	Standard
tension - dc inverse (vr) (max):	1200 V
courant - moyen redressé (io):	30A
tension - avant (vf) (max) @ si:	3.3 V @ 30 A
vitesse:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):	100 ns
courant - fuite inverse @ vr:	100 µA @ 1200 V
capacité @ vr, f:	-
Type de montage:	Through Hole
paquet / caisse:	TO-247-2
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-247-2
température de fonctionnement - jonction:	-55°C ~ 150°C