GS8M-F1-0000 | GS8M-F1-0000 | GS8M-F1-0000 Inventory, Best Pricing

GS8M-F1-0000

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Numéro d'article	GS8M-F1-0000
LIXINC Part #	GS8M-F1-0000
Fabricant
Catégorie	semi-conducteur discret › diodes - redresseurs - simples
Description	DIODE GEN PURP 1000V 8A DO214AB
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	GS8M-F1-0000 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 21 - Oct 25 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

GS8M-F1-0000 Caractéristiques

Numéro d'article:	GS8M-F1-0000
Marque:
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	diodes - redresseurs - simples
Fabricant:
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type de diodes:	Standard
tension - dc inverse (vr) (max):	1000 V
courant - moyen redressé (io):	8A
tension - avant (vf) (max) @ si:	1.1 V @ 8 A
vitesse:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):	-
courant - fuite inverse @ vr:	5 µA @ 1000 V
capacité @ vr, f:	55pF @ 4V, 1MHz
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	DO-214AB, SMC
paquet de dispositif de fournisseur:	DO-214AB (SMC)
température de fonctionnement - jonction:	-55°C ~ 150°C