RFVS8TG6SGC9 | ROHM Semiconductor RFVS8TG6SGC9 | RFVS8TG6SGC9 Inventory, Best Pricing

RFVS8TG6SGC9

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	RFVS8TG6SGC9
LIXINC Part #	RFVS8TG6SGC9
Fabricant	ROHM Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › diodes - redresseurs - simples
Description	DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	RFVS8TG6SGC9 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

RFVS8TG6SGC9 Caractéristiques

Numéro d'article:	RFVS8TG6SGC9
Marque:	ROHM Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	diodes - redresseurs - simples
Fabricant:	ROHM Semiconductor
série:	*
emballer:	TubeTube
état de la pièce:	Active
type de diodes:	Standard
tension - dc inverse (vr) (max):	600 V
courant - moyen redressé (io):	8A
tension - avant (vf) (max) @ si:	3 V @ 8 A
vitesse:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):	40 ns
courant - fuite inverse @ vr:	10 µA @ 600 V
capacité @ vr, f:	-
Type de montage:	Through Hole
paquet / caisse:	TO-220-2
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-220ACFP
température de fonctionnement - jonction:	150°C (Max)