IDV30E65D2XKSA1 | IR (Infineon Technologies) IDV30E65D2XKSA1 | IDV30E65D2XKSA1 Inventory, Best Pricing

IDV30E65D2XKSA1

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	IDV30E65D2XKSA1
LIXINC Part #	IDV30E65D2XKSA1
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Catégorie	semi-conducteur discret › diodes - redresseurs - simples
Description	DIODE GEN PURP 650V 30A TO220-2
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	IDV30E65D2XKSA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 07 - Oct 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

IDV30E65D2XKSA1 Caractéristiques

Numéro d'article:	IDV30E65D2XKSA1
Marque:	IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	diodes - redresseurs - simples
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
série:	-
emballer:	Tube
état de la pièce:	Active
type de diodes:	Standard
tension - dc inverse (vr) (max):	650 V
courant - moyen redressé (io):	30A (DC)
tension - avant (vf) (max) @ si:	2.2 V @ 30 A
vitesse:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):	42 ns
courant - fuite inverse @ vr:	40 µA @ 650 V
capacité @ vr, f:	-
Type de montage:	Through Hole
paquet / caisse:	TO-220-2 Full Pack
paquet de dispositif de fournisseur:	PG-TO220-2 Full Pack
température de fonctionnement - jonction:	-40°C ~ 175°C