S2M-E3/5BT | Vishay General Semiconductor – Diodes Division S2M-E3/5BT

S2M-E3/5BT

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Numéro d'article	S2M-E3/5BT
LIXINC Part #	S2M-E3/5BT
Fabricant	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Catégorie	semi-conducteur discret › diodes - redresseurs - simples
Description	DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO214
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	S2M-E3/5BT Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

S2M-E3/5BT Caractéristiques

Numéro d'article:	S2M-E3/5BT
Marque:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	diodes - redresseurs - simples
Fabricant:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type de diodes:	Standard
tension - dc inverse (vr) (max):	1000 V
courant - moyen redressé (io):	1.5A
tension - avant (vf) (max) @ si:	1.15 V @ 1.5 A
vitesse:	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):	2 µs
courant - fuite inverse @ vr:	1 µA @ 1000 V
capacité @ vr, f:	16pF @ 4V, 1MHz
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	DO-214AA, SMB
paquet de dispositif de fournisseur:	DO-214AA (SMB)
température de fonctionnement - jonction:	-55°C ~ 150°C