ISL9R18120G2

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Numéro d'article ISL9R18120G2
LIXINC Part # ISL9R18120G2
Fabricant Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie semi-conducteur discretdiodes - redresseurs - simples
Description DIODE GEN PURP 1200V 18A TO247-2
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO ISL9R18120G2 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 28 - Nov 01 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

ISL9R18120G2 Caractéristiques

Numéro d'article:ISL9R18120G2
Marque:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:diodes - redresseurs - simples
Fabricant:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:Stealth™
emballer:Tube
état de la pièce:Last Time Buy
type de diodes:Standard
tension - dc inverse (vr) (max):1200 V
courant - moyen redressé (io):18A
tension - avant (vf) (max) @ si:3.3 V @ 18 A
vitesse:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):70 ns
courant - fuite inverse @ vr:100 µA @ 1200 V
capacité @ vr, f:-
Type de montage:Through Hole
paquet / caisse:TO-247-2
paquet de dispositif de fournisseur:TO-247-2
température de fonctionnement - jonction:-55°C ~ 150°C

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