RFN5BGE3STL | ROHM Semiconductor RFN5BGE3STL | RFN5BGE3STL Inventory, Best Pricing

RFN5BGE3STL

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	RFN5BGE3STL
LIXINC Part #	RFN5BGE3STL
Fabricant	ROHM Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › diodes - redresseurs - simples
Description	SUPER FAST RECOVERY DIODE
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	RFN5BGE3STL Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 21 - Oct 25 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

RFN5BGE3STL Caractéristiques

Numéro d'article:	RFN5BGE3STL
Marque:	ROHM Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	diodes - redresseurs - simples
Fabricant:	ROHM Semiconductor
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type de diodes:	Standard
tension - dc inverse (vr) (max):	350 V
courant - moyen redressé (io):	5A
tension - avant (vf) (max) @ si:	1.5 V @ 5 A
vitesse:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):	30 ns
courant - fuite inverse @ vr:	10 µA @ 350 V
capacité @ vr, f:	-
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-252GE
température de fonctionnement - jonction:	150°C (Max)