BYT51M-TAP | Vishay General Semiconductor – Diodes Division BYT51M-TAP

BYT51M-TAP

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Numéro d'article	BYT51M-TAP
LIXINC Part #	BYT51M-TAP
Fabricant	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Catégorie	semi-conducteur discret › diodes - redresseurs - simples
Description	DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A SOD57
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	BYT51M-TAP Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 22 - Oct 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

BYT51M-TAP Caractéristiques

Numéro d'article:	BYT51M-TAP
Marque:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	diodes - redresseurs - simples
Fabricant:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
série:	-
emballer:	Tape & Box (TB)
état de la pièce:	Active
type de diodes:	Avalanche
tension - dc inverse (vr) (max):	1000 V
courant - moyen redressé (io):	1.5A
tension - avant (vf) (max) @ si:	1.1 V @ 1 A
vitesse:	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):	4 µs
courant - fuite inverse @ vr:	1 µA @ 1000 V
capacité @ vr, f:	-
Type de montage:	Through Hole
paquet / caisse:	SOD-57, Axial
paquet de dispositif de fournisseur:	SOD-57
température de fonctionnement - jonction:	-55°C ~ 175°C