CUHS20F30,H3F | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation CUHS20F30,H3F

CUHS20F30,H3F

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Numéro d'article	CUHS20F30,H3F
LIXINC Part #	CUHS20F30,H3F
Fabricant	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Catégorie	semi-conducteur discret › diodes - redresseurs - simples
Description	SCHOTTKY BARRIER DIODE, 30V/2A,
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	CUHS20F30,H3F Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Jul 05 - Jul 09 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

CUHS20F30,H3F Caractéristiques

Numéro d'article:	CUHS20F30,H3F
Marque:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	diodes - redresseurs - simples
Fabricant:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type de diodes:	Schottky
tension - dc inverse (vr) (max):	30 V
courant - moyen redressé (io):	2A
tension - avant (vf) (max) @ si:	470 mV @ 2 A
vitesse:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):	-
courant - fuite inverse @ vr:	60 µA @ 30 V
capacité @ vr, f:	380pF @ 0V, 1MHz
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	2-SMD, Flat Lead
paquet de dispositif de fournisseur:	US2H
température de fonctionnement - jonction:	150°C (Max)