US1K-E3/5AT

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Numéro d'article US1K-E3/5AT
LIXINC Part # US1K-E3/5AT
Fabricant Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Catégorie semi-conducteur discretdiodes - redresseurs - simples
Description DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO US1K-E3/5AT Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 07 - Oct 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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US1K-E3/5AT Caractéristiques

Numéro d'article:US1K-E3/5AT
Marque:Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:diodes - redresseurs - simples
Fabricant:Vishay General Semiconductor – Diodes Division
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
type de diodes:Standard
tension - dc inverse (vr) (max):800 V
courant - moyen redressé (io):1A
tension - avant (vf) (max) @ si:1.7 V @ 1 A
vitesse:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):75 ns
courant - fuite inverse @ vr:10 µA @ 800 V
capacité @ vr, f:10pF @ 4V, 1MHz
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:DO-214AC, SMA
paquet de dispositif de fournisseur:DO-214AC (SMA)
température de fonctionnement - jonction:-55°C ~ 150°C

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