MBR830MFST1G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor MBR830MFST1G

MBR830MFST1G

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Numéro d'article	MBR830MFST1G
LIXINC Part #	MBR830MFST1G
Fabricant	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › diodes - redresseurs - simples
Description	DIODE SCHOTTKY 30V 8A 5DFN
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	MBR830MFST1G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 08 - Oct 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

MBR830MFST1G Caractéristiques

Numéro d'article:	MBR830MFST1G
Marque:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	diodes - redresseurs - simples
Fabricant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type de diodes:	Schottky
tension - dc inverse (vr) (max):	30 V
courant - moyen redressé (io):	8A
tension - avant (vf) (max) @ si:	700 mV @ 8 A
vitesse:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):	-
courant - fuite inverse @ vr:	200 µA @ 30 V
capacité @ vr, f:	-
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	8-PowerTDFN, 5 Leads
paquet de dispositif de fournisseur:	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
température de fonctionnement - jonction:	-40°C ~ 150°C