JAN1N5619US | Roving Networks / Microchip Technology JAN1N5619US

JAN1N5619US

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Numéro d'article	JAN1N5619US
LIXINC Part #	JAN1N5619US
Fabricant	Roving Networks / Microchip Technology
Catégorie	semi-conducteur discret › diodes - redresseurs - simples
Description	DIODE GEN PURP 600V 1A D5A
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	JAN1N5619US Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 10 - Oct 14 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

JAN1N5619US Caractéristiques

Numéro d'article:	JAN1N5619US
Marque:	Roving Networks / Microchip Technology
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	diodes - redresseurs - simples
Fabricant:	Roving Networks / Microchip Technology
série:	Military, MIL-PRF-19500/429
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
type de diodes:	Standard
tension - dc inverse (vr) (max):	600 V
courant - moyen redressé (io):	1A
tension - avant (vf) (max) @ si:	1.6 V @ 3 A
vitesse:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):	250 ns
courant - fuite inverse @ vr:	500 nA @ 600 V
capacité @ vr, f:	25pF @ 12V, 1MHz
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	SQ-MELF, A
paquet de dispositif de fournisseur:	D-5A
température de fonctionnement - jonction:	-65°C ~ 175°C