VS-20ETF12S-M3

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Numéro d'article VS-20ETF12S-M3
LIXINC Part # VS-20ETF12S-M3
Fabricant Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Catégorie semi-conducteur discretdiodes - redresseurs - simples
Description DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO VS-20ETF12S-M3 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

VS-20ETF12S-M3 Caractéristiques

Numéro d'article:VS-20ETF12S-M3
Marque:Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:diodes - redresseurs - simples
Fabricant:Vishay General Semiconductor – Diodes Division
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)
état de la pièce:Active
type de diodes:Standard
tension - dc inverse (vr) (max):1200 V
courant - moyen redressé (io):20A
tension - avant (vf) (max) @ si:1.31 V @ 20 A
vitesse:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):400 ns
courant - fuite inverse @ vr:100 µA @ 1200 V
capacité @ vr, f:-
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
paquet de dispositif de fournisseur:D2PAK
température de fonctionnement - jonction:-40°C ~ 150°C

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