JAN1N4150UR-1 | Roving Networks / Microchip Technology JAN1N4150UR-1

JAN1N4150UR-1

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Numéro d'article	JAN1N4150UR-1
LIXINC Part #	JAN1N4150UR-1
Fabricant	Roving Networks / Microchip Technology
Catégorie	semi-conducteur discret › diodes - redresseurs - simples
Description	DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	JAN1N4150UR-1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

JAN1N4150UR-1 Caractéristiques

Numéro d'article:	JAN1N4150UR-1
Marque:	Roving Networks / Microchip Technology
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	diodes - redresseurs - simples
Fabricant:	Roving Networks / Microchip Technology
série:	Military, MIL-PRF-19500/231
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
type de diodes:	Standard
tension - dc inverse (vr) (max):	50 V
courant - moyen redressé (io):	200mA (DC)
tension - avant (vf) (max) @ si:	1 V @ 200 mA
vitesse:	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
temps de récupération inverse (trr):	4 ns
courant - fuite inverse @ vr:	100 nA @ 50 V
capacité @ vr, f:	-
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	DO-213AA
paquet de dispositif de fournisseur:	DO-213AA
température de fonctionnement - jonction:	-65°C ~ 175°C