RFN2LAM6STR

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Numéro d'article RFN2LAM6STR
LIXINC Part # RFN2LAM6STR
Fabricant ROHM Semiconductor
Catégorie semi-conducteur discretdiodes - redresseurs - simples
Description DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDTM
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO RFN2LAM6STR Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 21 - Oct 25 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

RFN2LAM6STR Caractéristiques

Numéro d'article:RFN2LAM6STR
Marque:ROHM Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:diodes - redresseurs - simples
Fabricant:ROHM Semiconductor
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
type de diodes:Standard
tension - dc inverse (vr) (max):600 V
courant - moyen redressé (io):1.5A
tension - avant (vf) (max) @ si:1.55 V @ 1.5 A
vitesse:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):35 ns
courant - fuite inverse @ vr:1 µA @ 600 V
capacité @ vr, f:-
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:SOD-128
paquet de dispositif de fournisseur:PMDTM
température de fonctionnement - jonction:150°C (Max)

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