NHPM120T3G

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Numéro d'article NHPM120T3G
LIXINC Part # NHPM120T3G
Fabricant Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie semi-conducteur discretdiodes - redresseurs - simples
Description DIODE GEN PURP 200V 1A POWERMITE
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO NHPM120T3G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 21 - Oct 25 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

NHPM120T3G Caractéristiques

Numéro d'article:NHPM120T3G
Marque:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:diodes - redresseurs - simples
Fabricant:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
type de diodes:Standard
tension - dc inverse (vr) (max):200 V
courant - moyen redressé (io):1A
tension - avant (vf) (max) @ si:1 V @ 1 A
vitesse:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):25 ns
courant - fuite inverse @ vr:500 nA @ 200 V
capacité @ vr, f:-
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:DO-216AA
paquet de dispositif de fournisseur:Powermite
température de fonctionnement - jonction:-65°C ~ 175°C

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