1SS367,H3F | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation 1SS367,H3F

1SS367,H3F

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Numéro d'article	1SS367,H3F
LIXINC Part #	1SS367,H3F
Fabricant	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Catégorie	semi-conducteur discret › diodes - redresseurs - simples
Description	DIODE SCHOTTKY 10V 100MA SC76
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	1SS367,H3F Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 23 - Oct 27 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition

1SS367,H3F Caractéristiques

Numéro d'article:	1SS367,H3F
Marque:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	diodes - redresseurs - simples
Fabricant:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type de diodes:	Schottky
tension - dc inverse (vr) (max):	10 V
courant - moyen redressé (io):	100mA
tension - avant (vf) (max) @ si:	500 mV @ 100 mA
vitesse:	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
temps de récupération inverse (trr):	-
courant - fuite inverse @ vr:	20 µA @ 10 V
capacité @ vr, f:	40pF @ 0V, 1MHz
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	SC-76, SOD-323
paquet de dispositif de fournisseur:	-
température de fonctionnement - jonction:	125°C (Max)