RF081L2STE25 | ROHM Semiconductor RF081L2STE25 | RF081L2STE25 Inventory, Best Pricing

RF081L2STE25

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	RF081L2STE25
LIXINC Part #	RF081L2STE25
Fabricant	ROHM Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › diodes - redresseurs - simples
Description	DIODE GEN PURP 200V 1A PMDS
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	RF081L2STE25 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 25 - Oct 29 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

RF081L2STE25 Caractéristiques

Numéro d'article:	RF081L2STE25
Marque:	ROHM Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	diodes - redresseurs - simples
Fabricant:	ROHM Semiconductor
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Not For New Designs
type de diodes:	Standard
tension - dc inverse (vr) (max):	200 V
courant - moyen redressé (io):	1A
tension - avant (vf) (max) @ si:	980 mV @ 1.1 A
vitesse:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
temps de récupération inverse (trr):	25 ns
courant - fuite inverse @ vr:	10 µA @ 200 V
capacité @ vr, f:	-
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	DO-214AC, SMA
paquet de dispositif de fournisseur:	PMDS
température de fonctionnement - jonction:	150°C (Max)